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SS115L M2G

SS115L M2G

僅供參考

型號 SS115L M2G
PNEDA編號 SS115L-M2G
描述 DIODE SCHOTTKY 150V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,328
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SS115L M2G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SS115L M2G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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SS115L M2G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)150V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 150V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

300mA @ 2200V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

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100nA @ 100V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

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