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TPC6008-H(TE85L,FM

TPC6008-H(TE85L,FM

僅供參考

型號 TPC6008-H(TE85L,FM
PNEDA編號 TPC6008-H-TE85L-FM
描述 MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC6008-H(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC6008-H(TE85L,FM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPC6008-H(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds300pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝VS-6 (2.9x2.8)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

610mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta), 15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 15A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

88.2W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1352pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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