內存IC

70V3389S5PRF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S5PRF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S5PRFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S5PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S5PRF/P

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 5ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S6BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3389S6BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3389S6BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3389S6BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3389S6PRF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S6PRF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S6PRFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3389S6PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 1.125Mb (64K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: -
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3399S133BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3399S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3399S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3399S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3399S133BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3399S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3399S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3399S133BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3399S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3399S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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70V3399S133PRF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3399S133PRF8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3399S133PRFI

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3399S133PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 133MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 4.2ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 128-LQFP
• 供應商設備包裝: 128-TQFP (14x20)

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70V3399S166BC

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3399S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 256-LBGA
• 供應商設備包裝: 256-CABGA (17x17)

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70V3399S166BF

IDT, Integrated Device Technology

內存

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

• 制造商: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 系列: -
• 內存類型: Volatile
• 內存格式: SRAM
• 技術: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 內存大小: 2Mb (128K x 18)
• 內存接口: Parallel
• 時鐘頻率: 166MHz
• 寫周期-字，頁: -
• 訪問時間: 3.6ns
• 電壓-供電: 3.15V ~ 3.45V
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TA)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 208-LFBGA
• 供應商設備包裝: 208-CABGA (15x15)

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