晶體管

型號	描述	庫存
IRFH7446TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3174pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,380
IRFH7446TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3174pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-TQFN Exposed Pad	庫存33,930
IRFH7545TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3890pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,806
IRFH7787TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 68A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 41A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4030pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,804
IRFH7882TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 26A 制造商: Infineon Technologies 系列: FASTIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3186pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 4W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN	庫存6,444
IRFH7885TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 22A 制造商: Infineon Technologies 系列: FASTIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2311pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-VQFN	庫存7,218
IRFH7914TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,894
IRFH7914TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 35A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,520
IRFH7921TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,354
IRFH7921TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存148,512
IRFH7923TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 33A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1095pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,372
IRFH7932TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,696
IRFH7932TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存90,822
IRFH7934TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,140
IRFH7934TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 24A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,654
IRFH7936TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,632
IRFH7936TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 54A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,724
IRFH8201TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 111nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7330pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,500
IRFH8202TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 25V 100A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7174pF @ 13V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存34,494
IRFH8303TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 179nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 24V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,856
IRFH8307TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 100A PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Ta), 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,562
IRFH8311TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 169A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4960pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-TQFN Exposed Pad	庫存81,012
IRFH8316TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3610pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存32,262
IRFH8318TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,850
IRFH8318TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 120A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3180pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存27,810
IRFH8321TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 83A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.4W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-TQFN Exposed Pad	庫存6,894
IRFH8324TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存13,128
IRFH8324TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,874
IRFH8325TR2PBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 82A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2487pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,974
IRFH8325TRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 82A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2487pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,676

IRFH7446TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3174pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,380

IRFH7446TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 40V 85A PQFN 5X6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.9V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3174pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-TQFN Exposed Pad

庫存33,930

IRFH7545TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 85A 6-PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 51A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3890pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,806

IRFH7787TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 68A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 68A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 41A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4030pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,804

IRFH7882TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 26A

制造商: Infineon Technologies
系列: FASTIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3186pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 4W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN

庫存6,444

IRFH7885TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 22A

制造商: Infineon Technologies
系列: FASTIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2311pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-VQFN

庫存7,218

IRFH7914TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,894

IRFH7914TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,520

IRFH7921TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,354

IRFH7921TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 34A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存148,512

IRFH7923TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 33A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1095pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,372

IRFH7932TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 104A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,696

IRFH7932TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 104A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 51nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4270pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6) Single Die
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存90,822

IRFH7934TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,140

IRFH7934TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 24A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,654

IRFH7936TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,632

IRFH7936TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta), 54A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,724

IRFH8201TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 49A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 111nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7330pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,500

IRFH8202TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7174pF @ 13V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 160W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存34,494

IRFH8303TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 43A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 179nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7736pF @ 24V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.7W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,856

IRFH8307TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 100A PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 42A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 150µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 120nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7200pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 156W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,562

IRFH8311TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta), 169A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4960pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-TQFN Exposed Pad

庫存81,012

IRFH8316TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3610pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存32,262

IRFH8318TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,850

IRFH8318TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 120A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3180pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存27,810

IRFH8321TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 83A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2600pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.4W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-TQFN Exposed Pad

庫存6,894

IRFH8324TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存13,128

IRFH8324TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 90A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2380pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,874

IRFH8325TR2PBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 82A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2487pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,974

IRFH8325TRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 82A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.35V @ 50µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2487pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.6W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,676

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