晶體管

型號	描述	庫存
IRFR120ZTRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,060
IRFR120ZTRLPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,644
IRFR120ZTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 35W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,734
IRFR12N25D Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,964
IRFR12N25DCPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,002
IRFR12N25DCTRLP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,236
IRFR12N25DCTRRP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,844
IRFR12N25DPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,938
IRFR12N25DTRLP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,712
IRFR12N25DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,526
IRFR12N25DTRRP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 144W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,264
IRFR130ATM ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 13A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 41W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,952
IRFR13N15DPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,122
IRFR13N15DTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,388
IRFR13N15DTRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,626
IRFR13N15DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,466
IRFR13N15DTRR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 86W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,694
IRFR13N20DCPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,678
IRFR13N20DCTRLP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,300
IRFR13N20DCTRRP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,770
IRFR13N20DPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,178
IRFR13N20DTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,964
IRFR13N20DTRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,992
IRFR13N20DTRLP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,984
IRFR13N20DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存31,752
IRFR13N20DTRR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,956
IRFR13N20DTRRP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 13A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,880
IRFR15N20DPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,356
IRFR15N20DTRLP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,400
IRFR15N20DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-PAK (TO-252AA) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存32,718

IRFR120ZTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,060

IRFR120ZTRLPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,644

IRFR120ZTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 310pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 35W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,734

IRFR12N25D

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,964

IRFR12N25DCPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,002

IRFR12N25DCTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,236

IRFR12N25DCTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,844

IRFR12N25DPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,938

IRFR12N25DTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,712

IRFR12N25DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,526

IRFR12N25DTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 144W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,264

IRFR130ATM

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 41W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,952

IRFR13N15DPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,122

IRFR13N15DTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,388

IRFR13N15DTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,626

IRFR13N15DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,466

IRFR13N15DTRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 14A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 620pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 86W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,694

IRFR13N20DCPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,678

IRFR13N20DCTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,300

IRFR13N20DCTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,770

IRFR13N20DPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,178

IRFR13N20DTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,964

IRFR13N20DTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,992

IRFR13N20DTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,984

IRFR13N20DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存31,752

IRFR13N20DTRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,956

IRFR13N20DTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 235mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,880

IRFR15N20DPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 17A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,356

IRFR15N20DTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 17A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,400

IRFR15N20DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 17A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-PAK (TO-252AA)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存32,718

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message