晶體管

型號	描述	庫存
IRFR15N20DTRRP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,370
IRFR18N15D Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,208
IRFR18N15DPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,974
IRFR18N15DTR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存4,500
IRFR18N15DTRL Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,084
IRFR18N15DTRLP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,568
IRFR18N15DTRPBF Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,322
IRFR18N15DTRR Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,678
IRFR18N15DTRRP Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK 制造商: Infineon Technologies 系列: HEXFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 110W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,754
IRFR1N60A Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,524
IRFR1N60APBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存23,136
IRFR1N60ATR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,796
IRFR1N60ATRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,470
IRFR1N60ATRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,750
IRFR1N60ATRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,598
IRFR1N60ATRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,214
IRFR1N60ATRRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 36W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,744
IRFR210 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,030
IRFR210BTM_FP001 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 26W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,182
IRFR210PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存25,800
IRFR210TR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,190
IRFR210TRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,412
IRFR210TRLPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,444
IRFR210TRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,150
IRFR210TRR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存5,148
IRFR210TRRPBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存25,062
IRFR214 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,718
IRFR214PBF Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,472
IRFR214TR Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,694
IRFR214TRL Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,766

IRFR15N20DTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 17A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3W (Ta), 140W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,370

IRFR18N15D

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,208

IRFR18N15DPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,974

IRFR18N15DTR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存4,500

IRFR18N15DTRL

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,084

IRFR18N15DTRLP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,568

IRFR18N15DTRPBF

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,322

IRFR18N15DTRR

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,678

IRFR18N15DTRRP

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

制造商: Infineon Technologies
系列: HEXFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 110W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,754

IRFR1N60A

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,524

IRFR1N60APBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存23,136

IRFR1N60ATR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,796

IRFR1N60ATRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,470

IRFR1N60ATRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,750

IRFR1N60ATRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,598

IRFR1N60ATRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,214

IRFR1N60ATRRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 229pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 36W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,744

IRFR210

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,030

IRFR210BTM_FP001

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 225pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 26W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,182

IRFR210PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存25,800

IRFR210TR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,190

IRFR210TRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,412

IRFR210TRLPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,444

IRFR210TRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,150

IRFR210TRR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存5,148

IRFR210TRRPBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存25,062

IRFR214

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,718

IRFR214PBF

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,472

IRFR214TR

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,694

IRFR214TRL

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 140pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,766

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