晶體管

型號	描述	庫存
BSM120D12P2C005 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 22mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 10V 功率-最大: 780W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: - 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存94
BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 204A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 10V 功率-最大: 1130W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: - 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存8,424
BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SIC POWER MODULE 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 50mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V 功率-最大: 880W 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存2,471
BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V (1.7kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 66mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30000pF @ 10V 功率-最大: 1800W (Tc) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存3,852
BSM300D12P2E001 Rohm Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商: Rohm Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 68mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 35000pF @ 10V 功率-最大: 1875W 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存7,416
BSO150N03 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 15V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存7,092
BSO150N03MDGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存230,490
BSO200N03 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 13µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 15V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存8,424
BSO203PHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3750pF @ 15V 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存7,542
BSO203PNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2242pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存6,228
BSO204PNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 60µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1513pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存6,048
BSO207PHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 44µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 15V 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存4,014
BSO207PNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1013pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存2,376
BSO211PHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1095pF @ 15V 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存5,382
BSO211PNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 25µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存2,610
BSO215C Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 246pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,490
BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 15V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存326,700
BSO303PHXUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2678pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存7,848
BSO303PNTMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1761pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存6,858
BSO330N02KGFUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 10V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存7,074
BSO350N03 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 15V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存8,370
BSO4804 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,526
BSO4804HUMA2 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8 制造商: Infineon Technologies 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存5,346
BSO4804T Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,142
BSO604NS2XUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO 制造商: Infineon Technologies 系列: OptiMOS™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存2,664
BSO612CV Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: P-DSO-8	庫存7,740
BSO612CVGHUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存7,974
BSO615CGHUMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存50,454
BSO615CT Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存5,436
BSO615N Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC 制造商: Infineon Technologies 系列: SIPMOS® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: PG-DSO-8	庫存3,906

BSM120D12P2C005

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 22mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14000pF @ 10V
功率-最大: 780W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: -
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存94

BSM180D12P2C101

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 204A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 35.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 23000pF @ 10V
功率-最大: 1130W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: -
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存8,424

BSM180D12P3C007

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SIC POWER MODULE

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.6V @ 50mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 10V
功率-最大: 880W
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存2,471

BSM250D17P2E004

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V (1.7kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 66mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30000pF @ 10V
功率-最大: 1800W (Tc)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存3,852

BSM300D12P2E001

Rohm Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

制造商: Rohm Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 68mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 35000pF @ 10V
功率-最大: 1875W
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存7,416

BSO150N03

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1890pF @ 15V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存7,092

BSO150N03MDGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存230,490

BSO200N03

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 13µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 15V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存8,424

BSO203PHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3750pF @ 15V
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存7,542

BSO203PNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2242pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存6,228

BSO204PNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 7A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 60µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1513pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存6,048

BSO207PHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 44µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1650pF @ 15V
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存4,014

BSO207PNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1013pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存2,376

BSO211PHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1095pF @ 15V
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存5,382

BSO211PNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 25µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 920pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存2,610

BSO215C

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 246pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,490

BSO220N03MDGXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 15V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存326,700

BSO303PHXUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2678pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存7,848

BSO303PNTMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 72.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1761pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存6,858

BSO330N02KGFUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 730pF @ 10V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存7,074

BSO350N03

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 6µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 480pF @ 15V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存8,370

BSO4804

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,526

BSO4804HUMA2

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 8A DSO8

制造商: Infineon Technologies
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存5,346

BSO4804T

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,142

BSO604NS2XUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO

制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 30µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 870pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存2,664

BSO612CV

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: P-DSO-8

庫存7,740

BSO612CVGHUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 340pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存7,974

BSO615CGHUMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存50,454

BSO615CT

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存5,436

BSO615N

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

制造商: Infineon Technologies
系列: SIPMOS®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 380pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: PG-DSO-8

庫存3,906

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