晶體管

型號	描述	庫存
CSD86356Q5DT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V 功率-最大: 12W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)	庫存13,116
CSD86360Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 12.5 功率-最大: 13W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存2,614
CSD87312Q3E Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 15V 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存20,724
CSD87313DMS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-WSON (3.3x3.3)	庫存12,182
CSD87313DMST Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V 功率-最大: 2.7W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-WSON (3.3x3.3)	庫存19,896
CSD87330Q3D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)	庫存634,104
CSD87331Q3D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V, 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 518pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存227,310
CSD87333Q3D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 662pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存90,492
CSD87333Q3DT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 662pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存16,176
CSD87334Q3D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1260pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存18,624
CSD87334Q3DT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1260pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存12,756
CSD87335Q3D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)	庫存46,733
CSD87335Q3DT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 25A 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)	庫存14,808
CSD87350Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 15V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存8,172
CSD87351Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1255pF @ 15V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存23,694
CSD87351ZQ5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1255pF @ 15V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存4,230
CSD87352Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 15V 功率-最大: 8.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存291,192
CSD87353Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3190pF @ 15V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存2,941
CSD87355Q5D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8LSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 15V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存8,640
CSD87355Q5DT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 15V 功率-最大: 2.8W 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)	庫存6,768
CSD87381P Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 564pF @ 15V 功率-最大: 4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-LGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)	庫存12,932
CSD87381PT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 564pF @ 15V 功率-最大: 4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-LGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)	庫存33,930
CSD87384M Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 15V 功率-最大: 8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-LGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (5x3.5)	庫存8,964
CSD87384MT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 15V 功率-最大: 8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-LGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (5x3.5)	庫存7,572
CSD87501L Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 10-XFLGA 供應商設備包裝: 10-Picostar (3.37x1.47)	庫存4,572
CSD87501LT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 10-XFLGA 供應商設備包裝: 10-Picostar (3.37x1.47)	庫存13,176
CSD87502Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 353pF @ 15V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)	庫存23,544
CSD87502Q2T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 353pF @ 15V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)	庫存144,294
CSD87503Q3E Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 15V 功率-最大: 15.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存9
CSD87503Q3ET Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 15V 功率-最大: 15.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)	庫存5,796

CSD86356Q5DT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V
功率-最大: 12W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)

庫存13,116

CSD86360Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 12.5
功率-最大: 13W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存2,614

CSD87312Q3E

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 15V
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存20,724

CSD87313DMS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-WSON (3.3x3.3)

庫存12,182

CSD87313DMST

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4290pF @ 15V
功率-最大: 2.7W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-WSON (3.3x3.3)

庫存19,896

CSD87330Q3D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 900pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)

庫存634,104

CSD87331Q3D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V, 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 518pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存227,310

CSD87333Q3D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 662pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存90,492

CSD87333Q3DT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 662pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存16,176

CSD87334Q3D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1260pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存18,624

CSD87334Q3DT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1260pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存12,756

CSD87335Q3D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 30V POWERBLOCK

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)

庫存46,733

CSD87335Q3DT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 25A

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (3.3x3.3)

庫存14,808

CSD87350Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1770pF @ 15V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存8,172

CSD87351Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1255pF @ 15V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存23,694

CSD87351ZQ5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1255pF @ 15V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存4,230

CSD87352Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 15V
功率-最大: 8.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存291,192

CSD87353Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3190pF @ 15V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存2,941

CSD87355Q5D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8LSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 15V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存8,640

CSD87355Q5DT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 15V
功率-最大: 2.8W
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: 8-LSON (5x6)

庫存6,768

CSD87381P

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 564pF @ 15V
功率-最大: 4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-LGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)

庫存12,932

CSD87381PT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.3mOhm @ 8A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 564pF @ 15V
功率-最大: 4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-LGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)

庫存33,930

CSD87384M

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 15V
功率-最大: 8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-LGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (5x3.5)

庫存8,964

CSD87384MT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 25A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 15V
功率-最大: 8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-LGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (5x3.5)

庫存7,572

CSD87501L

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 10-XFLGA
供應商設備包裝: 10-Picostar (3.37x1.47)

庫存4,572

CSD87501LT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 10-XFLGA
供應商設備包裝: 10-Picostar (3.37x1.47)

庫存13,176

CSD87502Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 353pF @ 15V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)

庫存23,544

CSD87502Q2T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.4mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 353pF @ 15V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)

庫存144,294

CSD87503Q3E

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 15V
功率-最大: 15.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存9

CSD87503Q3ET

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1020pF @ 15V
功率-最大: 15.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)

庫存5,796

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