晶體管

型號	描述	庫存
CSD87588N Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 736pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-XFLGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)	庫存2,643
CSD87588NT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 736pF @ 15V 功率-最大: 6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-LGA 供應商設備包裝: 5-PTAB (5x3.5)	庫存47,136
CSD88537ND Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 30V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存17,254
CSD88537NDT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 30V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存31,752
CSD88539ND Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 741pF @ 30V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存11,697
CSD88539NDT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 741pF @ 30V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存18,738
CSD88584Q5DC Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12400pF @ 20V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 22-PowerTFDFN 供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)	庫存3,420
CSD88584Q5DCT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12400pF @ 20V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 22-PowerTFDFN 供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)	庫存18,078
CSD88599Q5DC Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4840pF @ 30V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 22-PowerTFDFN 供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)	庫存3,096
CSD88599Q5DCT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4840pF @ 30V 功率-最大: 12W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 22-PowerTFDFN 供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)	庫存7,290
CTLDM303N-M832DS BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHANNEL 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V 功率-最大: 1.65W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: TLM832DS	庫存4,194
CTLDM303N-M832DS TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V 功率-最大: 1.65W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: TLM832DS	庫存2,772
CTLDM304P-M832DS TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V 功率-最大: 1.65W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: TLM832DS	庫存2,502
CTLDM7120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHANNEL 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V 功率-最大: 1.65W 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: TLM832DS	庫存6,192
CTLDM7120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 1A 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V 功率-最大: 1.65W 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: TLM832DS	庫存4,248
CTLDM8120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHANNEL 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V 功率-最大: 1.65W 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: TLM832DS	庫存2,718
CTLDM8120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHANNEL 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V 功率-最大: 1.65W 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: TLM832DS	庫存3,942
CWDM305ND TR13 Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存5,148
CWDM305PD TR13 Central Semiconductor Corp	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存7,650
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET MODULE 1200V 50A 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™+ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 800V 功率-最大: 20mW 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存3,978
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET MOD 1200V 50A 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™+ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tj) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.55V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 800V 功率-最大: 20mW 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: AG-EASY1BM-2	庫存7,542
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET MODULE 1200V 25A 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™+ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 620nC @ 15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 800V 功率-最大: 20mW 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: Module	庫存2,610
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET MOD 1200V 25A 制造商: Infineon Technologies 系列: CoolSiC™+ FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tj) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs（th）（最大）@ ID: 5.55V @ 10mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1840pF @ 800V 功率-最大: 20mW 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: Module 供應商設備包裝: AG-EASY1BM-2	庫存6,696
DI9942T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存3,078
DI9945T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 25V 功率-最大: 2W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存5,220
DI9952T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存5,814
DI9956T Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存7,272
DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 6.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1495pF @ 6V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存19,632
DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 8.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1454pF @ 6V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存5,490
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 9.4A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存4,104

CSD87588N

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 736pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-XFLGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (3x2.5)

庫存2,643

CSD87588NT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.9V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 736pF @ 15V
功率-最大: 6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-LGA
供應商設備包裝: 5-PTAB (5x3.5)

庫存47,136

CSD88537ND

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 30V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存17,254

CSD88537NDT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 30V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存31,752

CSD88539ND

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 741pF @ 30V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存11,697

CSD88539NDT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 741pF @ 30V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存18,738

CSD88584Q5DC

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12400pF @ 20V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 22-PowerTFDFN
供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)

庫存3,420

CSD88584Q5DCT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 88nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12400pF @ 20V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 22-PowerTFDFN
供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)

庫存18,078

CSD88599Q5DC

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4840pF @ 30V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 22-PowerTFDFN
供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)

庫存3,096

CSD88599Q5DCT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4840pF @ 30V
功率-最大: 12W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 22-PowerTFDFN
供應商設備包裝: 22-VSON-CLIP (5x6)

庫存7,290

CTLDM303N-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHANNEL

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V
功率-最大: 1.65W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: TLM832DS

庫存4,194

CTLDM303N-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V
功率-最大: 1.65W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: TLM832DS

庫存2,772

CTLDM304P-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V
功率-最大: 1.65W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: TLM832DS

庫存2,502

CTLDM7120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHANNEL

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V
功率-最大: 1.65W
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: TLM832DS

庫存6,192

CTLDM7120-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 1A

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V
功率-最大: 1.65W
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: TLM832DS

庫存4,248

CTLDM8120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHANNEL

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V
功率-最大: 1.65W
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: TLM832DS

庫存2,718

CTLDM8120-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHANNEL

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 860mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 200pF @ 16V
功率-最大: 1.65W
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: TLM832DS

庫存3,942

CWDM305ND TR13

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存5,148

CWDM305PD TR13

Central Semiconductor Corp

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存7,650

DF11MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET MODULE 1200V 50A

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™+
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 125nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3950pF @ 800V
功率-最大: 20mW
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存3,978

DF11MR12W1M1B11BPSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET MOD 1200V 50A

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™+
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tj)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.55V @ 20mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 124nC @ 15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3680pF @ 800V
功率-最大: 20mW
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: AG-EASY1BM-2

庫存7,542

DF23MR12W1M1B11BOMA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET MODULE 1200V 25A

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™+
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.5V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 620nC @ 15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 800V
功率-最大: 20mW
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: Module

庫存2,610

DF23MR12W1M1B11BPSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET MOD 1200V 25A

制造商: Infineon Technologies
系列: CoolSiC™+
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Silicon Carbide (SiC)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tj)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Vgs（th）（最大）@ ID: 5.55V @ 10mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1840pF @ 800V
功率-最大: 20mW
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: Module
供應商設備包裝: AG-EASY1BM-2

庫存6,696

DI9942T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存3,078

DI9945T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 25V
功率-最大: 2W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存5,220

DI9952T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存5,814

DI9956T

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存7,272

DMC1015UPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 6.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1495pF @ 6V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存19,632

DMC1016UPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 8.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1454pF @ 6V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存5,490

DMC1017UPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta), 9.4A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存4,104

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