晶體管

型號	描述	庫存
DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 6.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.4nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 6V 功率-最大: 2.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存5,598
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 787pF @ 6V 功率-最大: 1.36W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存6,930
DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 787pF @ 6V 功率-最大: 1.36W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存120,420
DMC1029UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存5,328
DMC1029UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存26,570
DMC1030UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V 功率-最大: 1.36W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存6,984
DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V 功率-最大: 1.36W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存4,374
DMC1030UFDBQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V 功率-最大: 1.36W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存2,844
DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V 功率-最大: 1.36W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存7,074
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存2,464
DMC1229UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存22,500
DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA, 430mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存2,359,068
DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA, 600mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V 功率-最大: 500mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X1-DFN1612-6	庫存29,970
DMC2004VK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 670mA, 530mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V 功率-最大: 450mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存244,794
DMC2020USD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A, 6.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1149pF @ 10V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存74,916
DMC2025UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存3,060
DMC2025UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存8,856
DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A, 2.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V 功率-最大: 800mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存1,024,398
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V 功率-最大: 800mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存2,642
DMC2041UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 713pF @ 10V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存3,438
DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 713pF @ 10V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存8,556
DMC2053UVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存6,030
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存3,402
DMC2057UVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存8,190
DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存8,622
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 455mA (Ta), 328mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X2-DFN0806-6	庫存3,888
DMC2400UV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V 功率-最大: 450mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存205,884
DMC2400UV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V 功率-最大: 450mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存1,597,434
DMC2450UV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V 功率-最大: 450mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存8,622
DMC2450UV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V 功率-最大: 450mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存71,320

DMC1018UPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 6.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.4nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 6V
功率-最大: 2.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存5,598

DMC1028UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 787pF @ 6V
功率-最大: 1.36W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存6,930

DMC1028UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V, 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 3.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 787pF @ 6V
功率-最大: 1.36W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存120,420

DMC1029UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存5,328

DMC1029UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存26,570

DMC1030UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
功率-最大: 1.36W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存6,984

DMC1030UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V
功率-最大: 1.36W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存4,374

DMC1030UFDBQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V
功率-最大: 1.36W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存2,844

DMC1030UFDBQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1003pF @ 6V
功率-最大: 1.36W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存7,074

DMC1229UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存2,464

DMC1229UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A, 3.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存22,500

DMC2004DWK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT-363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA, 430mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存2,359,068

DMC2004LPK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA, 600mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V
功率-最大: 500mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X1-DFN1612-6

庫存29,970

DMC2004VK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 670mA, 530mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V
功率-最大: 450mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存244,794

DMC2020USD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.8A, 6.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1149pF @ 10V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存74,916

DMC2025UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存3,060

DMC2025UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存8,856

DMC2038LVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A, 2.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V
功率-最大: 800mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存1,024,398

DMC2038LVTQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
功率-最大: 800mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存2,642

DMC2041UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 713pF @ 10V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存3,438

DMC2041UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A, 3.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 713pF @ 10V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存8,556

DMC2053UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存6,030

DMC2053UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存3,402

DMC2057UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存8,190

DMC2057UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存8,622

DMC21D1UDA-7B

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 455mA (Ta), 328mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X2-DFN0806-6

庫存3,888

DMC2400UV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V
功率-最大: 450mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存205,884

DMC2400UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V
功率-最大: 450mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存1,597,434

DMC2450UV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V
功率-最大: 450mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存8,622

DMC2450UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A, 700mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 37.1pF @ 10V
功率-最大: 450mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存71,320

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