晶體管

型號	描述	庫存
DMC4047LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A, 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 20V 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存8,748
DMC4050SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.56nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790.8pF @ 20V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存55,398
DMC4050SSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.56nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790.8pF @ 20V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存21,060
DMC6040SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A, 3.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.8nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 15V 功率-最大: 1.24W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存48,816
DMC6040SSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.8nC @ 30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 15V 功率-最大: 1.24W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,556
DMC6070LFDH-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-WDFN 供應商設備包裝: V-DFN3030-8	庫存6,570
DMC6070LND-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存2,034
DMC6070LND-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存8,010
DMC62D0SVQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V, 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 571mA (Ta), 304mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V, 26pF @ 25V 功率-最大: 510mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存49,182
DMC67D8UFDBQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,804
DMC67D8UFDBQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020- 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,628
DMG1016UDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.07A, 845mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 10V 功率-最大: 330mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存3,526
DMG1016V-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 870mA, 640mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V 功率-最大: 530mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存1,153,086
DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 870mA, 640mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V 功率-最大: 530mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存3,924
DMG1016VQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 870mA, 640mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V 功率-最大: 530mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存53,430
DMG1023UV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V 功率-最大: 530mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存1,014,834
DMG1023UVQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,976
DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,698
DMG1024UV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.38A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V 功率-最大: 530mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存142,212
DMG1026UV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 410mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 25V 功率-最大: 580mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存1,041,174
DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 440mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45pC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 25V 功率-最大: 650mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存7,830
DMG1029SV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA, 360mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V 功率-最大: 450mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存4,498,680
DMG4511SK4-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel, Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 35V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A, 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 25V 功率-最大: 1.54W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD 供應商設備包裝: TO-252-4L	庫存8,928
DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.56nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 10V 功率-最大: 1.17W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存712,260
DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 16V 功率-最大: 1.42W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存114,540
DMG4822SSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 16V 功率-最大: 1.42W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,668
DMG4932LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1932pF @ 15V 功率-最大: 1.19W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,092
DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066.4pF @ 15V 功率-最大: 980mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: W-DFN5020-6	庫存6,030
DMG6301UDW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.36nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27.9pF @ 10V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存4,950
DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.36nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27.9pF @ 10V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存22,092

DMC4047LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A, 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 20V
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存8,748

DMC4050SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.56nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790.8pF @ 20V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存55,398

DMC4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37.56nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790.8pF @ 20V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存21,060

DMC6040SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A, 3.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 15V
功率-最大: 1.24W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存48,816

DMC6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.8nC @ 30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 15V
功率-最大: 1.24W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,556

DMC6070LFDH-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V V-DFN3030-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-WDFN
供應商設備包裝: V-DFN3030-8

庫存6,570

DMC6070LND-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存2,034

DMC6070LND-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存8,010

DMC62D0SVQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V, 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 571mA (Ta), 304mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V, 26pF @ 25V
功率-最大: 510mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存49,182

DMC67D8UFDBQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,804

DMC67D8UFDBQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,628

DMG1016UDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.07A, 845mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 10V
功率-最大: 330mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存3,526

DMG1016V-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 870mA, 640mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
功率-最大: 530mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存1,153,086

DMG1016VQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 870mA, 640mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
功率-最大: 530mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存3,924

DMG1016VQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 870mA, 640mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
功率-最大: 530mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存53,430

DMG1023UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.03A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 59.76pF @ 16V
功率-最大: 530mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存1,014,834

DMG1023UVQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,976

DMG1023UVQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,698

DMG1024UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.38A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 60.67pF @ 16V
功率-最大: 530mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存142,212

DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 410mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 25V
功率-最大: 580mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存1,041,174

DMG1026UVQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 440mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.45pC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 25V
功率-最大: 650mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存7,830

DMG1029SV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA, 360mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V
功率-最大: 450mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存4,498,680

DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel, Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 35V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A, 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 25V
功率-最大: 1.54W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
供應商設備包裝: TO-252-4L

庫存8,928

DMG4800LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.56nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 798pF @ 10V
功率-最大: 1.17W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存712,260

DMG4822SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 16V
功率-最大: 1.42W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存114,540

DMG4822SSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478.9pF @ 16V
功率-最大: 1.42W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,668

DMG4932LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1932pF @ 15V
功率-最大: 1.19W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,092

DMG5802LFX-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1066.4pF @ 15V
功率-最大: 980mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: W-DFN5020-6

庫存6,030

DMG6301UDW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27.9pF @ 10V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存4,950

DMG6301UDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 240mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27.9pF @ 10V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存22,092

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