晶體管

型號	描述	庫存
DMG6601LVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A, 2.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 422pF @ 15V 功率-最大: 850mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存1,256,124
DMG6602SVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A, 2.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 840mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-23-6	庫存1,055,490
DMG6602SVTQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 30V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A, 2.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 840mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存148,848
DMG6602SVTX-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N and P-Channel Complementary FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V 功率-最大: 840mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存6,102
DMG6898LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1149pF @ 10V 功率-最大: 1.28W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存52,800
DMG6898LSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1149pF @ 10V 功率-最大: 1.28W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存25,644
DMG6968UDM-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 850mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存636,432
DMG6968UTS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存2,700
DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 920mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerUDFN 供應商設備包裝: U-DFN3030-8	庫存21,858
DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 841pF @ 10V 功率-最大: 870mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存2,538
DMG9926UDM-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 856pF @ 10V 功率-最大: 980mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存312,114
DMG9926USD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 15V 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存64,020
DMG9933USD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608.4pF @ 6V 功率-最大: 1.15W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,094
DMGD7N45SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 256pF @ 25V 功率-最大: 1.64W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,236
DMHC10H170SFJ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1167pF @ 25V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 12-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: V-DFN5045-12	庫存3,276
DMHC3025LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 4.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存150,162
DMHC3025LSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 4.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,988
DMHC4035LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A, 3.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 574pF @ 20V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存20,094
DMHC4035LSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V 功率-最大: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,344
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V 功率-最大: 1.6W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存5,814
DMHT3006LFJ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN5045- 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1171pF @ 15V 功率-最大: 1.3W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 12-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN5045-12	庫存7,308
DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 4 N-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 12-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: V-DFN5045-12	庫存46,044
DMN1002UCA6-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68.6nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X4-DSN3118-6	庫存2,754
DMN1003UCA6-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3315pF @ 6V 功率-最大: 2.67W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X3-DSN3518-6	庫存7,812
DMN1006UCA6-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 6V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X3-DSN2718-6	庫存11,129
DMN1023UCB4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: N-Channel FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA 供應商設備包裝: U-WLB1010-4	庫存3,474
DMN1029UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存8,766
DMN1029UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V 功率-最大: 1.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存22,416
DMN1033UCB4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.45W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA 供應商設備包裝: U-WLB1818-4	庫存27,048
DMN1150UFL3-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 115pF @ 6V 功率-最大: 390mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: X2-DFN1310-6 (Type B)	庫存5,544

DMG6601LVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.8A, 2.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 422pF @ 15V
功率-最大: 850mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存1,256,124

DMG6602SVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A, 2.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 840mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-23-6

庫存1,055,490

DMG6602SVTQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A, 2.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 840mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存148,848

DMG6602SVTX-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N and P-Channel Complementary
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V, 9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V, 420pF @ 15V
功率-最大: 840mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存6,102

DMG6898LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1149pF @ 10V
功率-最大: 1.28W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存52,800

DMG6898LSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1149pF @ 10V
功率-最大: 1.28W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存25,644

DMG6968UDM-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 850mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存636,432

DMG6968UTS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存2,700

DMG8601UFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 920mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerUDFN
供應商設備包裝: U-DFN3030-8

庫存21,858

DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.9A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.6nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 841pF @ 10V
功率-最大: 870mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存2,538

DMG9926UDM-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 856pF @ 10V
功率-最大: 980mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存312,114

DMG9926USD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 867pF @ 15V
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存64,020

DMG9933USD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608.4pF @ 6V
功率-最大: 1.15W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,094

DMGD7N45SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2NCH 450V 500MA 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 256pF @ 25V
功率-最大: 1.64W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,236

DMHC10H170SFJ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A, 2.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1167pF @ 25V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 12-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: V-DFN5045-12

庫存3,276

DMHC3025LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 4.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存150,162

DMHC3025LSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 4.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 15V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,988

DMHC4035LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A, 3.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 574pF @ 20V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存20,094

DMHC4035LSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V, 65mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
功率-最大: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,344

DMHC6070LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.1A, 2.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 731pF @ 20V
功率-最大: 1.6W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存5,814

DMHT3006LFJ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN5045-

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1171pF @ 15V
功率-最大: 1.3W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 12-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN5045-12

庫存7,308

DMHT6016LFJ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 12-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: V-DFN5045-12

庫存46,044

DMN1002UCA6-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFETN-CHAN 12V X4-DSN3118-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 68.6nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X4-DSN3118-6

庫存2,754

DMN1003UCA6-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3315pF @ 6V
功率-最大: 2.67W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X3-DSN3518-6

庫存7,812

DMN1006UCA6-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 6V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X3-DSN2718-6

庫存11,129

DMN1023UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-WLB1010-4

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: N-Channel
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA
供應商設備包裝: U-WLB1010-4

庫存3,474

DMN1029UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存8,766

DMN1029UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.6nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 6V
功率-最大: 1.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存22,416

DMN1033UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.45W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-UFBGA, WLBGA
供應商設備包裝: U-WLB1818-4

庫存27,048

DMN1150UFL3-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 115pF @ 6V
功率-最大: 390mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: X2-DFN1310-6 (Type B)

庫存5,544

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