晶體管

型號	描述	庫存
DMN1250UFEL-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 6V 功率-最大: 660mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 12-UFQFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-QFN1515-12	庫存949
DMN13M9UCA6-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3315pF @ 6V 功率-最大: 2.67W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X3-DSN3518-6	庫存6,768
DMN16M0UCA6-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2112- 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,704
DMN16M9UCA6-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 6V 功率-最大: 2.4W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: X3-DSN2718-6	庫存2,196
DMN2004DMK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V 功率-最大: 225mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 供應商設備包裝: SOT-26	庫存672,162
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V 功率-最大: 200mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存545,082
DMN2004DWKQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.95nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V 功率-最大: 200mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存2,754
DMN2004VK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存265,212
DMN2005DLP4K-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 400mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: X2-DFN1310-6 (Type B)	庫存298,062
DMN2008LFU-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1418pF @ 10V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)	庫存5,814
DMN2008LFU-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250A 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1418pF @ 10V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)	庫存4,608
DMN2010UDZ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.2nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2665pF @ 10V 功率-最大: 700mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2535-6	庫存6,588
DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2248pF @ 10V 功率-最大: 2.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-VFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: V-DFN2050-4	庫存69,066
DMN2013UFX-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57.4nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2607pF @ 10V 功率-最大: 2.14W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-VFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: W-DFN5020-6	庫存2,718
DMN2014LHAB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 10V 功率-最大: 800mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)	庫存28,272
DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1472pF @ 10V 功率-最大: 770mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerUDFN 供應商設備包裝: U-DFN3030-8	庫存174,336
DMN2016LHAB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 10V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2030-6	庫存8,208
DMN2016UFX-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 10V 功率-最大: 1.07W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-VFDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: V-DFN2050-4	庫存8,136
DMN2016UTS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.58A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1495pF @ 10V 功率-最大: 880mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存280,842
DMN2019UTS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V 功率-最大: 780mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存451
DMN2022UNS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 10V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存5,454
DMN2022UNS-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 10V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存7,920
DMN2023UCB4-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3333pF @ 10V 功率-最大: 1.45W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA, WLBGA 供應商設備包裝: X1-WLB1818-4	庫存3,978
DMN2024UDH-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN3030-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 647pF @ 10V 功率-最大: 950mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerUDFN 供應商設備包裝: U-DFN3030-8	庫存6,102
DMN2024UTS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSSOP-8 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 647pF @ 10V 功率-最大: 890mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝: 8-TSSOP	庫存8,658
DMN2024UVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,816
DMN2024UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,904
DMN2025UFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存5,742
DMN2025UFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V 功率-最大: 700mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存5,760
DMN2028UFDH-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3030-8	庫存3,834

DMN1250UFEL-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 190pF @ 6V
功率-最大: 660mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 12-UFQFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-QFN1515-12

庫存949

DMN13M9UCA6-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3315pF @ 6V
功率-最大: 2.67W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X3-DSN3518-6

庫存6,768

DMN16M0UCA6-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2112-

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,704

DMN16M9UCA6-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2360pF @ 6V
功率-最大: 2.4W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: X3-DSN2718-6

庫存2,196

DMN2004DMK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V
功率-最大: 225mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6
供應商設備包裝: SOT-26

庫存672,162

DMN2004DWK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V
功率-最大: 200mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存545,082

DMN2004DWKQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.95nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V
功率-最大: 200mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存2,754

DMN2004VK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 540mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 16V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存265,212

DMN2005DLP4K-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 400mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: X2-DFN1310-6 (Type B)

庫存298,062

DMN2008LFU-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1418pF @ 10V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)

庫存5,814

DMN2008LFU-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250A
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1418pF @ 10V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)

庫存4,608

DMN2010UDZ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.2nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2665pF @ 10V
功率-最大: 700mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2535-6

庫存6,588

DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2248pF @ 10V
功率-最大: 2.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: V-DFN2050-4

庫存69,066

DMN2013UFX-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57.4nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2607pF @ 10V
功率-最大: 2.14W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: W-DFN5020-6

庫存2,718

DMN2014LHAB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 10V
功率-最大: 800mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)

庫存28,272

DMN2016LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1472pF @ 10V
功率-最大: 770mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerUDFN
供應商設備包裝: U-DFN3030-8

庫存174,336

DMN2016LHAB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1550pF @ 10V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2030-6

庫存8,208

DMN2016UFX-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.9A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 10V
功率-最大: 1.07W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: V-DFN2050-4

庫存8,136

DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.58A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1495pF @ 10V
功率-最大: 880mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存280,842

DMN2019UTS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 143pF @ 10V
功率-最大: 780mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存451

DMN2022UNS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 10V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存5,454

DMN2022UNS-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.7A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1870pF @ 10V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存7,920

DMN2023UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3333pF @ 10V
功率-最大: 1.45W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA, WLBGA
供應商設備包裝: X1-WLB1818-4

庫存3,978

DMN2024UDH-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN3030-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 647pF @ 10V
功率-最大: 950mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerUDFN
供應商設備包裝: U-DFN3030-8

庫存6,102

DMN2024UTS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSSOP-8 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 647pF @ 10V
功率-最大: 890mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝: 8-TSSOP

庫存8,658

DMN2024UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,816

DMN2024UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,904

DMN2025UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存5,742

DMN2025UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 486pF @ 10V
功率-最大: 700mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存5,760

DMN2028UFDH-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 151pF @ 10V
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3030-8

庫存3,834

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