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晶體管

記錄 64,903
頁面 756/2164
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型號
描述
庫存
數量
DMN2028UFU-13
DMN2028UFU-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.4nC @ 8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 887pF @ 10V
  • 功率-最大: 900mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)
庫存8,010
DMN2028UFU-7
DMN2028UFU-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.4nC @ 8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 887pF @ 10V
  • 功率-最大: 900mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-UFDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: U-DFN2030-6 (Type B)
庫存509
DMN2029USD-13
DMN2029USD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 5.8A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.5V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 18.6nC @ 8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1171pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存7,596
DMN2029UVT-13
DMN2029UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • FET功能: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,046
DMN2029UVT-7
DMN2029UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • FET功能: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存5,148
DMN2036UCB4-7
DMN2036UCB4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: 1.45W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 4-XFBGA, WLBGA
  • 供應商設備包裝: X2-WLB1616-4
庫存26,094
DMN2040LSD-13
DMN2040LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 562pF @ 10V
  • 功率-最大: 2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SOP
庫存7,236
DMN2040LTS-13
DMN2040LTS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.7A (Ta)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 570pF @ 10V
  • 功率-最大: 890mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-TSSOP
庫存5,580
DMN2041LSD-13
DMN2041LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.63A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15.6nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 550pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.16W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供應商設備包裝: 8-SO
庫存668,706
DMN2041UFDB-13
DMN2041UFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15nC @ 8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 713pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)
庫存6,552
DMN2041UFDB-7
DMN2041UFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.7A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.4V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 15nC @ 8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 713pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.4W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)
庫存4,140
DMN2050LFDB-13
DMN2050LFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.3A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 389pF @ 10V
  • 功率-最大: 730mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)
庫存82,368
DMN2050LFDB-7
DMN2050LFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 3.3A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 45mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12nC @ 10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 389pF @ 10V
  • 功率-最大: 730mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)
庫存6,084
DMN2053UVT-13
DMN2053UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.6A (Ta)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 369pF @ 10V
  • 功率-最大: 700mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: TSOT-26
庫存6,714
DMN2053UVT-7
DMN2053UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.6A (Ta)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 369pF @ 10V
  • 功率-最大: 700mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: TSOT-26
庫存6,318
DMN21D1UDA-7B
DMN21D1UDA-7B

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 455mA (Ta)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 0.41nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 31pF @ 15V
  • 功率-最大: 310mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-SMD, No Lead
  • 供應商設備包裝: X2-DFN0806-6
庫存5,868
DMN2215UDM-7
DMN2215UDM-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 188pF @ 10V
  • 功率-最大: 650mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6
  • 供應商設備包裝: SOT-26
庫存24,450
DMN2300UFL4-7
DMN2300UFL4-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.11A (Ta)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 950mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 128.6pF @ 25V
  • 功率-最大: 1.39W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-XFDFN Exposed Pad
  • 供應商設備包裝: X2-DFN1310-6 (Type B)
庫存3,402
DMN2400UV-7
DMN2400UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.33A
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 900mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 36pF @ 16V
  • 功率-最大: 530mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SOT-563
庫存371,334
DMN26D0UDJ-7
DMN26D0UDJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.24A SOT963

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 240mA
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.05V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 14.1pF @ 15V
  • 功率-最大: 300mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存93,216
DMN2990UDJ-7
DMN2990UDJ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 450mA
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 27.6pF @ 16V
  • 功率-最大: 350mW
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存247,410
DMN2990UDJQ-7
DMN2990UDJQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 450MA SOT963

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 450mA (Ta)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 27.6pF @ 16V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-963
  • 供應商設備包裝: SOT-963
庫存5,220
DMN3012LDG-13
DMN3012LDG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 10A (Ta), 20A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
  • 功率-最大: 2.2W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-PowerLDFN
  • 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)
庫存8,712
DMN3012LDG-7
DMN3012LDG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 10A (Ta), 20A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
  • 功率-最大: 2.2W (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-PowerLDFN
  • 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)
庫存2,682
DMN3012LEG-13
DMN3012LEG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • FET功能: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存8,244
DMN3012LEG-7
DMN3012LEG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: *
  • FET類型: -
  • FET功能: -
  • 漏極至源極電壓(Vdss): -
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): -
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: -
  • Vgs(th)(最大)@ ID: -
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: -
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存6,516
DMN3012LFG-13
DMN3012LFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 20A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
  • 功率-最大: 2.2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-PowerLDFN
  • 供應商設備包裝: PowerDI3333-8
庫存5,454
DMN3012LFG-7
DMN3012LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 20A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
  • 功率-最大: 2.2W
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-PowerLDFN
  • 供應商設備包裝: PowerDI3333-8
庫存3,456
DMN3013LDG-13
DMN3013LDG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 15V
  • 功率-最大: 2.16W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-PowerLDFN
  • 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)
庫存6,408
DMN3013LDG-7
DMN3013LDG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET,MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 9.5A (Ta), 15A (Tc)
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 600pF @ 15V
  • 功率-最大: 2.16W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-PowerLDFN
  • 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)
庫存2,628