晶體管

型號	描述	庫存
DMN3013LFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V 功率-最大: 2.16W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)	庫存4,788
DMN3013LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta), 15A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V 功率-最大: 2.16W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)	庫存2,124
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 15V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,434
DMN3016LDN-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type J)	庫存8,766
DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 15V 功率-最大: 1.1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type J)	庫存7,200
DMN3016LDV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1184pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存3,744
DMN3016LDV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1184pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存6,336
DMN3018SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 697pF @ 15V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存154,692
DMN3022LDG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 功率-最大: 1.96W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)	庫存8,802
DMN3022LDG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 功率-最大: 1.96W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)	庫存6,372
DMN3022LFG-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 功率-最大: 1.96W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)	庫存8,622
DMN3022LFG-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V 功率-最大: 1.96W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerLDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)	庫存7,722
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608pF @ 15V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,200
DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存6,030
DMN3032LFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存4,302
DMN3032LFDBQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存8,424
DMN3032LFDBQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存154,170
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 725pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOP	庫存6,822
DMN3033LSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 725pF @ 15V 功率-最大: 2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,132
DMN3035LWN-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 399pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN3020-8	庫存2,088
DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 399pF @ 15V 功率-最大: 770mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN3020-8	庫存16,800
DMN3055LFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 458pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存3,222
DMN3055LFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 458pF @ 15V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存8,640
DMN3060LVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,474
DMN3061SVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,534
DMN3135LVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 305pF @ 15V 功率-最大: 840mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存505,338
DMN3190LDW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 20V 功率-最大: 320mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存614,670
DMN3190LDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 20V 功率-最大: 320mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存2,934,090
DMN3270UVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.07nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 161pF @ 15V 功率-最大: 760mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存8,676
DMN3270UVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 40µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.07nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 161pF @ 15V 功率-最大: 760mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存7,992

DMN3013LFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V
功率-最大: 2.16W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)

庫存4,788

DMN3013LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 15V
功率-最大: 2.16W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)

庫存2,124

DMN3015LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.4A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 15V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,434

DMN3016LDN-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 9.2A VDFN3030-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type J)

庫存8,766

DMN3016LDN-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1415pF @ 15V
功率-最大: 1.1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type J)

庫存7,200

DMN3016LDV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1184pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存3,744

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1184pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存6,336

DMN3018SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 697pF @ 15V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存154,692

DMN3022LDG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
功率-最大: 1.96W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)

庫存8,802

DMN3022LDG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
功率-最大: 1.96W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)

庫存6,372

DMN3022LFG-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
功率-最大: 1.96W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)

庫存8,622

DMN3022LFG-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta), 15A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 481pF @ 15V, 996pF @ 15V
功率-最大: 1.96W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerLDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8 (Type D)

庫存7,722

DMN3024LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608pF @ 15V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,200

DMN3032LFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存6,030

DMN3032LFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存4,302

DMN3032LFDBQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2NCH 30V 6.2A UDFN2020

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存8,424

DMN3032LFDBQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 500pF @ 15V
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存154,170

DMN3033LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 725pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOP

庫存6,822

DMN3033LSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 725pF @ 15V
功率-最大: 2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,132

DMN3035LWN-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 5.5A VDFN3020-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 399pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN3020-8

庫存2,088

DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 399pF @ 15V
功率-最大: 770mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN3020-8

庫存16,800

DMN3055LFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 458pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存3,222

DMN3055LFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 458pF @ 15V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存8,640

DMN3060LVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,474

DMN3061SVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,534

DMN3135LVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 305pF @ 15V
功率-最大: 840mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存505,338

DMN3190LDW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 20V
功率-最大: 320mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存614,670

DMN3190LDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 87pF @ 20V
功率-最大: 320mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存2,934,090

DMN3270UVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.07nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 161pF @ 15V
功率-最大: 760mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存8,676

DMN3270UVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 270mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 40µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.07nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 161pF @ 15V
功率-最大: 760mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存7,992

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