晶體管

型號	描述	庫存
DMN601DWKQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.304nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V 功率-最大: 200mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存43,566
DMN601VK-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存23,880
DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V 功率-最大: 250mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存5,058
DMN6022SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2110pF @ 30V 功率-最大: 1.2W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,734
DMN6022SSS-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,060
DMN6040SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1287pF @ 25V 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存743,190
DMN6040SSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.4nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1287pF @ 25V 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存23,232
DMN6066SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 502pF @ 30V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存200,604
DMN6070SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 588pF @ 30V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存120,936
DMN61D8LVT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V 功率-最大: 820mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存4,050
DMN61D8LVT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V 功率-最大: 820mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存55,770
DMN61D8LVTQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V 功率-最大: 820mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存3,438
DMN61D8LVTQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V 功率-最大: 820mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: TSOT-26	庫存118
DMN61D9UDW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28.5pF @ 30V 功率-最大: 320mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存5,598
DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28.5pF @ 30V 功率-最大: 320mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存817,104
DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 30V 功率-最大: 320mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存4,266
DMN62D0UDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 30V 功率-最大: 320mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存150,498
DMN62D0UT-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存4,212
DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存4,932
DMN63D0LT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 100V SOT523 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存25,554
DMN63D1LDW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V 功率-最大: 310mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存6,966
DMN63D1LDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.3nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V 功率-最大: 310mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存3,598
DMN63D1LV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.392nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V 功率-最大: 940mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存6,318
DMN63D1LV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.392nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V 功率-最大: 940mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存7,560
DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 870nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存2,790
DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 870nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存2,680,914
DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.87nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存28,116
DMN63D8LV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.87nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V 功率-最大: 450mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存582,486
DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.87nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存1,614,312
DMN65D8LDWQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,146

DMN601DWKQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CHAN 41V 60V SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
功率-最大: 200mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存43,566

DMN601VK-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存23,880

DMN601VKQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 305mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50pF @ 25V
功率-最大: 250mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存5,058

DMN6022SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta), 14A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2110pF @ 30V
功率-最大: 1.2W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,734

DMN6022SSS-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,060

DMN6040SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1287pF @ 25V
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存743,190

DMN6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.4nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1287pF @ 25V
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存23,232

DMN6066SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 502pF @ 30V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存200,604

DMN6070SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 588pF @ 30V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存120,936

DMN61D8LVT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V
功率-最大: 820mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存4,050

DMN61D8LVT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V
功率-最大: 820mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存55,770

DMN61D8LVTQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V
功率-最大: 820mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存3,438

DMN61D8LVTQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 630mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.74nC @ 5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12.9pF @ 12V
功率-最大: 820mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: TSOT-26

庫存118

DMN61D9UDW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28.5pF @ 30V
功率-最大: 320mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存5,598

DMN61D9UDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 28.5pF @ 30V
功率-最大: 320mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存817,104

DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 30V
功率-最大: 320mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存4,266

DMN62D0UDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 350mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 32pF @ 30V
功率-最大: 320mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存150,498

DMN62D0UT-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存4,212

DMN62D0UT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存4,932

DMN63D0LT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 100V SOT523

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存25,554

DMN63D1LDW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V
功率-最大: 310mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存6,966

DMN63D1LDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 250mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V
功率-最大: 310mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存3,598

DMN63D1LV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.392nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V
功率-最大: 940mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存6,318

DMN63D1LV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 550mA (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.392nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 25V
功率-最大: 940mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存7,560

DMN63D8LDW-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 870nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存2,790

DMN63D8LDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 870nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存2,680,914

DMN63D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 220mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.87nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存28,116

DMN63D8LV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.87nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V
功率-最大: 450mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存582,486

DMN65D8LDW-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.87nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 25V
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存1,614,312

DMN65D8LDWQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,146

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