晶體管

型號	描述	庫存
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 20V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存22,230
DMP4047SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1154pF @ 20V 功率-最大: 1.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,182
DMP4050SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 20V 功率-最大: 1.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存22,446
DMP4050SSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 20V 功率-最大: 1.25W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存2,970
DMP56D0UV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.58nC @ 4V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50.54pF @ 25V 功率-最大: 400mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存8,352
DMP57D5UV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 29pF @ 25V 功率-最大: 400mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存2,808
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V 功率-最大: 400mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存154,632
DMP6050SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1293pF @ 30V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,744
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 969pF @ 30V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存109,023
DMPH6050SPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存8,514
DMPH6050SPDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存3,096
DMPH6050SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存6,246
DMPH6050SSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存3,078
DMS3017SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 9.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1276pF @ 15V 功率-最大: 1.19W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存2,070
DMS3019SSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A, 5.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1932pF @ 15V 功率-最大: 1.19W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存4,122
DMT10H017LPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54.7A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1986pF @ 50V 功率-最大: 2.2W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存3,276
DMT2005UDV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 10V 功率-最大: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存4,428
DMT2005UDV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 10V 功率-最大: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存3,384
DMT3009LDT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V 功率-最大: 1.2W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type K)	庫存7,326
DMT3011LDT-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 10.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 641pF @ 15V 功率-最大: 1.9W 工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type K)	庫存4,338
DMT3020LDV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V 功率-最大: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存4,986
DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V 功率-最大: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存2,394
DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V 功率-最大: 700mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存8,262
DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V 功率-最大: 700mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)	庫存42,972
DMT3020LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V 功率-最大: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,698
DMT3022UEV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 903pF @ 15V 功率-最大: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存3,544
DMT3022UEV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 903pF @ 15V 功率-最大: 900mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: PowerDI3333-8	庫存2,034
DMT47M2LDV-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,686
DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,104
DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,192

DMP4025LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.9A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1640pF @ 20V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存22,230

DMP4047SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.5nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1154pF @ 20V
功率-最大: 1.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,182

DMP4050SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 20V
功率-最大: 1.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存22,446

DMP4050SSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 674pF @ 20V
功率-最大: 1.25W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存2,970

DMP56D0UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.58nC @ 4V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 50.54pF @ 25V
功率-最大: 400mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存8,352

DMP57D5UV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6Ohm @ 100mA, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 29pF @ 25V
功率-最大: 400mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存2,808

DMP58D0SV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 50V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 25V
功率-最大: 400mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存154,632

DMP6050SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1293pF @ 30V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,744

DMP6110SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.3A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 969pF @ 30V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存109,023

DMPH6050SPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存8,514

DMPH6050SPDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存3,096

DMPH6050SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存6,246

DMPH6050SSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.2A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1525pF @ 30V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存3,078

DMS3017SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A/6A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1276pF @ 15V
功率-最大: 1.19W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存2,070

DMS3019SSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A, 5.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1932pF @ 15V
功率-最大: 1.19W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存4,122

DMT10H017LPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 54.7A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1986pF @ 50V
功率-最大: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存3,276

DMT2005UDV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 10V
功率-最大: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存4,428

DMT2005UDV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 46.7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2060pF @ 10V
功率-最大: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存3,384

DMT3009LDT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
功率-最大: 1.2W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type K)

庫存7,326

DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A, 10.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 641pF @ 15V
功率-最大: 1.9W
工作溫度: -55°C ~ 155°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: V-DFN3030-8 (Type K)

庫存4,338

DMT3020LDV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V
功率-最大: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存4,986

DMT3020LDV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V
功率-最大: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存2,394

DMT3020LFDB-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V
功率-最大: 700mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存8,262

DMT3020LFDB-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V
功率-最大: 700mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: U-DFN2020-6 (Type B)

庫存42,972

DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 393pF @ 15V
功率-最大: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,698

DMT3022UEV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 903pF @ 15V
功率-最大: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存3,544

DMT3022UEV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 22mOhm @ 11A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 903pF @ 15V
功率-最大: 900mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: PowerDI3333-8

庫存2,034

DMT47M2LDV-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,686

DMT47M2LDV-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,104

DMT47M2LDVQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,192

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