晶體管

型號	描述	庫存
DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 制造商: Diodes Incorporated 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,874
DMT6018LDR-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 869pF @ 30V 功率-最大: 1.9W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN3030-8	庫存8,568
DMT6018LDR-7 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 869pF @ 30V 功率-最大: 1.9W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerVDFN 供應商設備包裝: V-DFN3030-8	庫存202
DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2026pF @ 30V 功率-最大: 2.6W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存4,950
DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41.9nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2026pF @ 30V 功率-最大: 2.6W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存3,834
DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 20V 功率-最大: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存4,356
DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 20V 功率-最大: 2.6W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存23,226
DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 733pF @ 20V 功率-最大: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存3,312
DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 733pF @ 20V 功率-最大: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存8,388
DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 30V 功率-最大: 2.8W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存1,440
DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 30V 功率-最大: 2.8W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存7,182
DMTH6016LPD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V 功率-最大: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存5,904
DMTH6016LPDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V 功率-最大: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerTDFN 供應商設備包裝: PowerDI5060-8	庫存3,418
DMTH6016LSD-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存7,218
DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO 制造商: Diodes Incorporated 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V 功率-最大: 1.4W, 1.9W 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SO	庫存4,536
DN2625DK6-G Microchip Technology	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN 制造商: Microchip Technology 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.04nC @ 1.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 25V 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: 8-DFN (5x5)	庫存6,300
ECH8601M-C-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存5,940
ECH8601M-P-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,934
ECH8601M-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存4,068
ECH8601M-TL-H-P ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存5,076
ECH8602M-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存7,020
ECH8619-TL-E ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 20V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存3,186
ECH8649-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存9,048
ECH8651R-R-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存6,750
ECH8651R-R-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 INTEGRATED CIRCUIT 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,730
ECH8651R-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存2,448
ECH8651R-TL-HX ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存4,248
ECH8652-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 P-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 6V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存3,438
ECH8653-S-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存5,472
ECH8653-TL-H ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 10V 功率-最大: 1.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝: 8-ECH	庫存8,136

DMT47M2LDVQ-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333

制造商: Diodes Incorporated
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,874

DMT6018LDR-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 869pF @ 30V
功率-最大: 1.9W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN3030-8

庫存8,568

DMT6018LDR-7

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 869pF @ 30V
功率-最大: 1.9W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerVDFN
供應商設備包裝: V-DFN3030-8

庫存202

DMTH4007SPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2026pF @ 30V
功率-最大: 2.6W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存4,950

DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2026pF @ 30V
功率-最大: 2.6W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存3,834

DMTH4011SPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFETDUAL N-CHAN 40VPOWERDI5060

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 20V
功率-最大: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存4,356

DMTH4011SPDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 805pF @ 20V
功率-最大: 2.6W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存23,226

DMTH4014LPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 733pF @ 20V
功率-最大: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存3,312

DMTH4014LPDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 733pF @ 20V
功率-最大: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存8,388

DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 30V
功率-最大: 2.8W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存1,440

DMTH6010LPDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2615pF @ 30V
功率-最大: 2.8W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存7,182

DMTH6016LPD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V
功率-最大: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存5,904

DMTH6016LPDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V
功率-最大: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerTDFN
供應商設備包裝: PowerDI5060-8

庫存3,418

DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存7,218

DMTH6016LSDQ-13

Diodes Incorporated

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 864pF @ 30V
功率-最大: 1.4W, 1.9W
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SO

庫存4,536

DN2625DK6-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

制造商: Microchip Technology
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 25V
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: 8-DFN (5x5)

庫存6,300

ECH8601M-C-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存5,940

ECH8601M-P-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,934

ECH8601M-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 24V 8A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存4,068

ECH8601M-TL-H-P

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存5,076

ECH8602M-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存7,020

ECH8619-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A, 2A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 560pF @ 20V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存3,186

ECH8649-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 10V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存9,048

ECH8651R-R-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存6,750

ECH8651R-R-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

INTEGRATED CIRCUIT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,730

ECH8651R-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存2,448

ECH8651R-TL-HX

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存4,248

ECH8652-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 12V 6A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 P-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 6V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存3,438

ECH8653-S-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存5,472

ECH8653-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A ECH8

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.5nC @ 8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1280pF @ 10V
功率-最大: 1.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝: 8-ECH

庫存8,136

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