晶體管

型號	描述	庫存
EFC2J011NUZTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 12V 55A 10WLCSP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,142
EFC2J013NUZTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.8W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-WLCSP (2x1.49)	庫存14,475
EFC2J017NUZTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 6WLCSP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFBGA, WLCSP 供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.77x3.05)	庫存7,830
EFC2K102NUZTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V, 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.65mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 3.8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 3.1W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 10-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 10-WLCSP (2.98x1.49)	庫存6,246
EFC3C001NUZTCG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA, WLCSP 供應商設備包裝: 4-WLCSP (1.26x1.26)	庫存8,424
EFC3J018NUZTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFBGA, WLCSP 供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.77x3.05)	庫存6,480
EFC4618R-P-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP1818 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XBGA, 4-FCBGA 供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037	庫存3,490
EFC4618R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP1818 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XBGA, 4-FCBGA 供應商設備包裝: EFCP1818-4CC-037	庫存7,308
EFC4619R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝: EFCP1616-4CE-022	庫存5,220
EFC4621R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝: EFCP1616-4CE-022	庫存4,914
EFC4622R-R-W-E-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 INTEGRATED CIRCUIT 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,346
EFC4626R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA 供應商設備包裝: -	庫存7,848
EFC4627R-A-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA 供應商設備包裝: -	庫存2,880
EFC4627R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.4W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝: 4-EFCP (1.01x1.01)	庫存4,158
EFC4630R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 INTEGRATED CIRCUIT 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: 24V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-XFBGA 供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037	庫存2,484
EFC4C002NLTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 15V 功率-最大: 2.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-XFBGA, WLCSP 供應商設備包裝: 8-WLCSP (6x2.5)	庫存4,464
EFC4C012NLTDG ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W (Ta) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-WLCSP (3.5x1.9)	庫存3,888
EFC6601R-A-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020	庫存3,924
EFC6601R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020	庫存3,060
EFC6602R-A-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020	庫存2,232
EFC6602R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA 供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020	庫存6,570
EFC6604R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-XFBGA 供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46)	庫存5,364
EFC6605R-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 1.6W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46)	庫存9,276
EFC6605R-V-TR ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,174
EFC6611R-A-TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,640
EFC6611R-TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)	庫存2,898
EFC6612R-A-TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)	庫存7,272
EFC6612R-TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 2.5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)	庫存12,551
EFC6617R-A-TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,884
EFC6617R-TF ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH EFCP 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,382

EFC2J011NUZTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 12V 55A 10WLCSP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,142

EFC2J013NUZTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 37nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.8W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-WLCSP (2x1.49)

庫存14,475

EFC2J017NUZTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 6WLCSP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 95nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFBGA, WLCSP
供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.77x3.05)

庫存7,830

EFC2K102NUZTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 33A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.65mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 3.8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 3.1W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 10-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 10-WLCSP (2.98x1.49)

庫存6,246

EFC3C001NUZTCG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA, WLCSP
供應商設備包裝: 4-WLCSP (1.26x1.26)

庫存8,424

EFC3J018NUZTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFBGA, WLCSP
供應商設備包裝: 6-WLCSP (1.77x3.05)

庫存6,480

EFC4618R-P-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP1818

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XBGA, 4-FCBGA
供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037

庫存3,490

EFC4618R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP1818

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XBGA, 4-FCBGA
供應商設備包裝: EFCP1818-4CC-037

庫存7,308

EFC4619R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝: EFCP1616-4CE-022

庫存5,220

EFC4621R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝: EFCP1616-4CE-022

庫存4,914

EFC4622R-R-W-E-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

INTEGRATED CIRCUIT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,346

EFC4626R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA
供應商設備包裝: -

庫存7,848

EFC4627R-A-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA
供應商設備包裝: -

庫存2,880

EFC4627R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.4W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝: 4-EFCP (1.01x1.01)

庫存4,158

EFC4630R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

INTEGRATED CIRCUIT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: 24V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-XFBGA
供應商設備包裝: EFCP1313-4CC-037

庫存2,484

EFC4C002NLTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 8WLCSP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6200pF @ 15V
功率-最大: 2.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-XFBGA, WLCSP
供應商設備包裝: 8-WLCSP (6x2.5)

庫存4,464

EFC4C012NLTDG

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W (Ta)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-WLCSP (3.5x1.9)

庫存3,888

EFC6601R-A-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020

庫存3,924

EFC6601R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020

庫存3,060

EFC6602R-A-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020

庫存2,232

EFC6602R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝: EFCP2718-6CE-020

庫存6,570

EFC6604R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-XFBGA
供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46)

庫存5,364

EFC6605R-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 1.6W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-EFCP (1.9x1.46)

庫存9,276

EFC6605R-V-TR

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,174

EFC6611R-A-TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,640

EFC6611R-TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 12V 27A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 100nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)

庫存2,898

EFC6612R-A-TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)

庫存7,272

EFC6612R-TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 2.5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 6-CSP (1.77x3.54)

庫存12,551

EFC6617R-A-TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,884

EFC6617R-TF

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH EFCP

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,382

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