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1N3767R數據表

1N3767R數據表
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GeneSiC Semiconductor
此數據表涵蓋了8零件號: 1N3767R, 1N3767, 1N3766R, 1N3766, 1N3765R, 1N3765, 1N3768, 1N3768R
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1N3767R數據表 頁面 3
1N3767R

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

900V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C

1N3767

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

900V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C

1N3766R

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C

1N3766

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C

1N3765R

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

700V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C

1N3765

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

700V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C

1N3768

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C

1N3768R

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管類型

Standard, Reverse Polarity

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

35A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 35A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-5

工作溫度-結點

-65°C ~ 190°C