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1N3768

1N3768

僅供參考

型號 1N3768
PNEDA編號 1N3768
描述 DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價
1 ---------- $253.5602
50 ---------- $241.6746
100 ---------- $229.7889
200 ---------- $217.9033
400 ---------- $207.9986
500 ---------- $198.0939
庫存 259
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 5 - 一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

1N3768資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號1N3768
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
1N3768, 1N3768數據表 (總頁數: 3, 大小: 763.53 KB)
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1N3768規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)35A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 35A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 50V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AB, DO-5, Stud
供應商設備包裝DO-5
工作溫度-結點-65°C ~ 190°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

Axial, Radial Bend

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

300A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.15V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

9µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 3600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

140A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 140A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 600V

電容@ Vr,F

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50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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