2SC5415AE-TD-E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 12V 頻率-過渡 6.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 1.1dB @ 1GHz 增益 9dB 功率-最大 800mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 90 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 PCP |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 12V 頻率-過渡 6.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 1.1dB @ 1GHz 增益 9dB 功率-最大 800mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 90 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 PCP |
