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2SC5415AE-TD-E

2SC5415AE-TD-E

僅供參考

型號 2SC5415AE-TD-E
PNEDA編號 2SC5415AE-TD-E
描述 RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5415AE-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5415AE-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
2SC5415AE-TD-E, 2SC5415AE-TD-E數據表 (總頁數: 8, 大小: 289.92 KB)
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2SC5415AE-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡6.7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
增益9dB
功率-最大800mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce90 @ 30mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

增益

24dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.4A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

11.5dB ~ 17dB

功率-最大

280mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

PG-SOT323-3

MS2272

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.6dB

功率-最大

940W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Renesas Electronics America Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

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