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APT44GA60BD30C數據表

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Microsemi
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APT44GA60BD30C

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

POWER MOS 8™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

78A

電流-集電極脈沖(Icm)

130A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 26A

功率-最大

337W

開關能量

409µJ (on), 450µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

128nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/102ns

測試條件

400V, 26A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 [B]