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APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

僅供參考

型號 APT44GA60BD30C
PNEDA編號 APT44GA60BD30C
描述 IGBT 600V 78A 337W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT44GA60BD30C資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT44GA60BD30C
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
APT44GA60BD30C, APT44GA60BD30C數據表 (總頁數: 9, 大小: 226.49 KB)
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APT44GA60BD30C規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)78A
電流-集電極脈沖(Icm)130A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 15V, 26A
功率-最大337W
開關能量409µJ (on), 450µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用128nC
25°C時的Td(開/關)16ns/102ns
測試條件400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 40A

功率-最大

480W

開關能量

380µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

功率-最大

75W

開關能量

60µJ (on), 50µJ (off)

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25°C時的Td(開/關)

12ns/116ns

測試條件

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

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