APTGF660U60D4G數據表
|
制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 860A 功率-最大 2800W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.45V @ 15V, 800A 當前-集電極截止（最大值） 500µA 輸入電容（Cies）@ Vce 36nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 D4 供應商設備包裝 D4 |
