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APTGF660U60D4G

APTGF660U60D4G

僅供參考

型號 APTGF660U60D4G
PNEDA編號 APTGF660U60D4G
描述 IGBT 600V 860A 2800W D4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,038
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF660U60D4G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF660U60D4G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF660U60D4G, APTGF660U60D4G數據表 (總頁數: 6, 大小: 605.81 KB)
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APTGF660U60D4G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)860A
功率-最大2800W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 800A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce36nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D4
供應商設備包裝D4

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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安裝類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

833W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 180A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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