BLT80數據表
|
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 10V 頻率-過渡 900MHz 噪聲系數（dB Typ @ f） - 增益 - 功率-最大 2W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 25 @ 150mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 250mA 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |
