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BLT80,115

BLT80,115

僅供參考

型號 BLT80,115
PNEDA編號 BLT80-115
描述 RF TRANS NPN 10V 900MHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,444
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLT80資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLT80,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BLT80, BLT80數據表 (總頁數: 12, 大小: 82.57 KB)
PDFBLT80數據表 封面
BLT80數據表 頁面 2 BLT80數據表 頁面 3 BLT80數據表 頁面 4 BLT80數據表 頁面 5 BLT80數據表 頁面 6 BLT80數據表 頁面 7 BLT80數據表 頁面 8 BLT80數據表 頁面 9 BLT80數據表 頁面 10 BLT80數據表 頁面 11

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BLT80規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡900MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大2W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 150mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)250mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

增益

14dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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75W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 2V

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35mA

工作溫度

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

增益

11.6dB

功率-最大

6.4W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 250mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

增益

10.5dB ~ 14dB

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 35mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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