BUJ105AB數據表
|
制造商 WeEn Semiconductors 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 8A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 800mA, 4A 當前-集電極截止（最大值） 100µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 13 @ 500mA, 5V 功率-最大 125W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 D2PAK |
