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BUJ105AB,118

BUJ105AB,118

僅供參考

型號 BUJ105AB,118
PNEDA編號 BUJ105AB-118
描述 TRANS NPN 400V 8A D2PAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BUJ105AB資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BUJ105AB,118
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BUJ105AB, BUJ105AB數據表 (總頁數: 9, 大小: 454.43 KB)
PDFBUJ105AB數據表 封面
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BUJ105AB規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1V @ 800mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce13 @ 500mA, 5V
功率-最大125W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 2V

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

4V @ 80mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 4A, 4V

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20W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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