DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表
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Infineon Technologies
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DF1000R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 - IGBT類型 - 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1700V 當前-集電極(Ic)(最大值) - 功率-最大 6250W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.45V @ 15V, 1000A 當前-集電極截止(最大值) 5mA 輸入電容(Cies)@ Vce 81nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 -40°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |