Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
數百萬庫存的電子零件。 接受缺貨訂單。 24小時內的價格和交貨時間報價。

DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表

DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表
總頁數: 10
大小: 680.79 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了1零件號: DF1000R17IE4DB2BOSA1
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 1
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 2
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 3
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 4
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 5
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 6
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 7
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 8
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 9
DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 頁面 10
DF1000R17IE4DB2BOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

6250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 1000A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

81nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module