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DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

僅供參考

型號 DF1000R17IE4DB2BOSA1
PNEDA編號 DF1000R17IE4DB2BOSA1
描述 IGBT MODULE 1700V 1000A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF1000R17IE4DB2BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF1000R17IE4DB2BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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DF1000R17IE4DB2BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大6250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 1000A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce81nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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600A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 10V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

170nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

40nF @ 10V

輸入

Standard

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No

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450A

功率-最大

1000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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Yes

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輸入電容(Cies)@ Vce

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