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DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

僅供參考

型號 DF1000R17IE4DB2BOSA1
PNEDA編號 DF1000R17IE4DB2BOSA1
描述 IGBT MODULE 1700V 1000A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 3 - 四月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF1000R17IE4DB2BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF1000R17IE4DB2BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
DF1000R17IE4DB2BOSA1, DF1000R17IE4DB2BOSA1數據表 (總頁數: 10, 大小: 680.79 KB)
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DF1000R17IE4DB2BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大6250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 1000A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce81nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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600V

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96A

功率-最大

255W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Chassis Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

40nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

功率-最大

205W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

*

IGBT類型

-

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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