DF11MR12W1M1B11BOMA1數據表
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Infineon Technologies
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DF11MR12W1M1B11BOMA1
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制造商 Infineon Technologies 系列 CoolSiC™+ FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A Rds On（Max）@ Id，Vgs 23mOhm @ 50A, 15V Vgs（th）（最大）@ ID 5.5V @ 20mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 125nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3950pF @ 800V 功率-最大 20mW 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |
