DF11MR12W1M1B11BOMA1
僅供參考
| 型號 | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| PNEDA編號 | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| 描述 | MOSFET MODULE 1200V 50A |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 3,978 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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DF11MR12W1M1B11BOMA1資源
| 品牌 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | DF11MR12W1M1B11BOMA1 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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DF11MR12W1M1B11BOMA1規格
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | CoolSiC™+ |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET功能 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 50A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 23mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 5.5V @ 20mA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 125nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 3950pF @ 800V |
| 功率-最大 | 20mW |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Chassis Mount |
| 包裝/箱 | Module |
| 供應商設備包裝 | Module |
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