DMC1229UFDB-13數據表
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Diodes Incorporated
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DMC1229UFDB-13, DMC1229UFDB-7
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制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 914pF @ 6V 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 (Type B) |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 - 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.6A, 3.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 19.6nC @ 8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 914pF @ 6V 功率-最大 1.4W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 U-DFN2020-6 (Type B) |
