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DMC1229UFDB-7

DMC1229UFDB-7

僅供參考

型號 DMC1229UFDB-7
PNEDA編號 DMC1229UFDB-7
描述 MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 22,500
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMC1229UFDB-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMC1229UFDB-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMC1229UFDB-7, DMC1229UFDB-7數據表 (總頁數: 9, 大小: 451.67 KB)
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DMC1229UFDB-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.6A, 3.8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19.6nC @ 8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds914pF @ 6V
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝U-DFN2020-6 (Type B)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 15V, 4600pF @ 15V

功率-最大

20W, 66W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

280mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

150mW

工作溫度

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-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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