DMN2056U-13數據表
|
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4.3nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 339pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 940mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 Diodes Incorporated 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 38mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4.3nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 339pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 940mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
