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DMN2056U-7

DMN2056U-7

僅供參考

型號 DMN2056U-7
PNEDA編號 DMN2056U-7
描述 MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 23,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMN2056U-7資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMN2056U-7
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
DMN2056U-7, DMN2056U-7數據表 (總頁數: 7, 大小: 327.61 KB)
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DMN2056U-7規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds339pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)940mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-3
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6807pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.6W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6665pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

315W (Tc)

工作溫度

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

98mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

511pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

740pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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