DTB113ZCHZGT116數據表
|
制造商 Rohm Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 PNP - Pre-Biased + Diode 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） - 電阻-基本（R1） 1 kOhms 電阻-發射極基（R2） 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 56 @ 50mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SST3 |
