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DTB113ZCHZGT116

DTB113ZCHZGT116

僅供參考

型號 DTB113ZCHZGT116
PNEDA編號 DTB113ZCHZGT116
描述 500MA/-50V DIGITAL TRANSISTOR (W
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTB113ZCHZGT116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTB113ZCHZGT116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTB113ZCHZGT116, DTB113ZCHZGT116數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,115.89 KB)
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DTB113ZCHZGT116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP - Pre-Biased + Diode
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

82 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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安裝類型

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包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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