EPC2108數據表
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制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) FET功能 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V, 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.7A, 500mA Rds On（Max）@ Id，Vgs 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率-最大 - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 9-VFBGA 供應商設備包裝 9-BGA (1.35x1.35) |
