EPC2108
僅供參考
| 型號 | EPC2108 |
| PNEDA編號 | EPC2108 |
| 描述 | GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA |
| 制造商 | EPC |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 23,286 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 5 - 二月 10 (選擇加急運輸) |
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EPC2108資源
| 品牌 | EPC |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | EPC2108 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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EPC2108規格
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| FET類型 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET功能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 60V, 100V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 1.7A, 500mA |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| 功率-最大 | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | 9-VFBGA |
| 供應商設備包裝 | 9-BGA (1.35x1.35) |
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