EPC2110數據表
EPC 制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓(Vdss) 120V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.4A Rds On(Max)@ Id,Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 700µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 0.8nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 80pF @ 60V 功率-最大 - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 - 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |
EPC 制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 2 N-Channel (Dual) Common Source FET功能 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓(Vdss) 120V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.4A Rds On(Max)@ Id,Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 700µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 0.8nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 80pF @ 60V 功率-最大 - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |