EPC2110ENGRT
僅供參考
| 型號 | EPC2110ENGRT |
| PNEDA編號 | EPC2110ENGRT |
| 描述 | GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE |
| 制造商 | EPC |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 92,868 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸) |
| Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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EPC2110ENGRT資源
| 品牌 | EPC |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | EPC2110ENGRT |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
| 數據表 |
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EPC2110ENGRT規格
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| FET類型 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET功能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 120V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 3.4A |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | 2.5V @ 700µA |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 0.8nC @ 5V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 80pF @ 60V |
| 功率-最大 | - |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 包裝/箱 | Die |
| 供應商設備包裝 | Die |
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