FJNS7565TA數據表




制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 5A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 450mV @ 60mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 450 @ 500mA, 2V 功率-最大 550mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 5A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 450mV @ 60mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 450 @ 500mA, 2V 功率-最大 550mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |