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FJNS7565BU

FJNS7565BU

僅供參考

型號 FJNS7565BU
PNEDA編號 FJNS7565BU
描述 TRANS NPN 10V 5A TO-92MINI
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJNS7565BU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJNS7565BU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJNS7565BU, FJNS7565BU數據表 (總頁數: 4, 大小: 93.37 KB)
PDFFJNS7565TA數據表 封面
FJNS7565TA數據表 頁面 2 FJNS7565TA數據表 頁面 3 FJNS7565TA數據表 頁面 4

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FJNS7565BU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic450mV @ 60mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce450 @ 500mA, 2V
功率-最大550mW
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

230V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

20W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

220 @ 2mA, 5V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

180MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

20nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 2A, 1V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 3.3A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

700µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 4A, 4V

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