IRF7606TR數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 90mOhm @ 2.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 30nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 520pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Micro8™ 包裝/箱 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
