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IRF7606TR

IRF7606TR

僅供參考

型號 IRF7606TR
PNEDA編號 IRF7606TR
描述 MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7606TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7606TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF7606TR, IRF7606TR數據表 (總頁數: 8, 大小: 128.4 KB)
PDFIRF7606TR數據表 封面
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IRF7606TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds520pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro8™
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PLUS247™-3

包裝/箱

TO-247-3

BTS282ZE3180AATMA2

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

TEMPFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

49V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 240µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

232nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

Temperature Sensing Diode

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.16nF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Body)

功耗(最大值)

-

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

860pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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