IRF7757TR數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.8A Rds On（Max）@ Id，Vgs 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 23nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1340pF @ 15V 功率-最大 1.2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-TSSOP |
